室温发光硅基法布里-玻罗微腔器件

　　专利号：ZL 02232816.5

　　室温发光硅基法布里-玻罗微腔器件属于硅基光电子器件领域，其特征在于它含有两个由 a-Si:H薄膜和a-SiOxNy:H薄膜交替生长制备的a-Si:H/a-SiOxNy:H布拉格反射器（DBR），放在上述两个布拉格反射器中间的a-SiCx:H光发射层，其中x、y表示含量。a-SiOxNy:H可以是a-SiO2:H，a-SiCx:H中x可以是微量；衬底是硅。a-Si:H、a-SiOxNy:H和a-SiCx:H都是使用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法制备的非晶薄膜材料。所述的反射器在顶部是6层薄膜，低层是7层薄膜。与其它同类室温发光的硅基光电子器件相比，它具有发光波长可调，易于制作，成本低，能与常规微电子工艺兼容等优点。

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